[뉴스토마토 이명신 기자] 삼성전자가 세계 최초로 7세대 고대역폭메모리(HBM4E)의 샘플을 글로벌 고객사에 출하했습니다. 지난 2월 6세대 HBM(HBM4)를 세계 최초로 양산 출하한 지 불과 3개월 만에 다음 세대 제품 샘플을 공급한 것으로, AI 메모리 시장 주도권 확보에 나서는 모습입니다.
삼성전자의 7세대 고대역폭메모리(HBM4E) 12단 제품이 세계 최초로 글로벌 고객사에 출하되는 모습. (사진=삼성전자)
삼성전자는 업계 최고 성능의 HBM4E 12단 샘플을 출하했다고 29일 밝혔습니다. 해당 제품은 이전 세대인 HBM4에서 검증된 10나노급 6세대(1c) D램과 4나노 파운드리(반도체 위탁생산) 공정을 동시에 적용했습니다.
특히 설계와 공정 최적화를 통해 업계 최고 수준의 성능을 구현했다고 삼성전자는 설명했습니다. 핀당 동작 속도는 전작 대비 20% 향상된 14Gbps(초당 기가비트)에서 최대 16Gbps까지 지원합니다. 아울러 단일 스택 기준 초당 3.6TB(테라바이트)의 대역폭을 제공해 대규모 언어 모델(LLM) 및 차세대 AI 시스템의 연산 속도를 극대화했습니다.
용량도 증가했습니다. HBM4E 12단 제품은 48GB(기가바이트)의 고용량을 구현해 전작 대비 용량을 30% 이상 늘렸습니다. 향후 고객사의 다양한 서비스 환경에 맞춰 32GB(8단), 64GB(16단)까지 라인업을 확대할 계획입니다.
이외에도 저전력 설계 및 패키징 구조 최적화 기술을 집약해 전작 대비 에너지 효율은 16%, 열 저항 특성은 14% 이상 개선했습니다. 삼성전자는 이번 샘플 공급을 시작으로 고객 일정에 맞춰 HBM4E를 양산 공급할 예정입니다.
앞서 삼성전자는 올해 2월 업계 최고 성능의 HBM4를 양산 출하한 바 있습니다. 삼성전자의 HBM4는 국제반도체표준협의기구(JEDEC)의 업계 표준인 8Gbps를 약 46% 상회하는 11.7Gbps의 동작 속도를 구현하기도 했습니다. 이는 5세대 HBM(HBM3E)의 최대 핀 속도인 9.6Gbps 대비 약 1.22배 향상된 수치입니다.
황상준 삼성전자 메모리사업부 개발담당 부사장은 “HBM4 양산 성공에 이어 차세대 HBM4E 샘플 공급까지 차질 없이 완수하며 삼성전자의 독보적인 기술 리더십을 시장에 확실히 각인시켰다”며 “앞으로도 압도적인 기술 초격차와 선제적인 생산 인프라 투자를 바탕으로 글로벌 AI 메모리 시장의 성장을 강력하게 주도할 것”이라고 했습니다.
이명신 기자 sin@etomato.com
이 기사는 뉴스토마토 보도준칙 및 윤리강령에 따라 오승훈 산업1부장이 최종 확인·수정했습니다.
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